[发明专利]溅射靶及使用该靶的薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 201480033195.8 | 申请日： | 2014-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN105283579B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 伊藤和弘;渡边晓;宫川直通;渡边俊成;光井彰 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/44 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非晶膜形成用溅射靶，其为含有导电性钙铝石化合物的溅射靶，该导电性钙铝石化合物的电子密度为3×1020cm‑3以上，且该导电性钙铝石化合物含有选自由C、Fe、Na和Zr所构成的组中的一种以上元素。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 使用 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶电子化合物薄膜形成用溅射靶，其为含有导电性钙铝石化合物的溅射靶，其中，所述导电性钙铝石化合物的电子密度为3×1020cm‑3以上，且所述导电性钙铝石化合物含有选自由C、Fe、Na和Zr所构成的组中的一种以上元素，所述溅射靶在不主动地对形成非晶电子化合物的薄膜时的被成膜基板的温度进行加热的溅射法中使用。
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