[发明专利]优化的HID弧管几何结构

摘要

高强度放电(HID)弧管的几何结构控制成改进灯颜色控制和温度分布。在一些实施例中，包含位于电极附近的过渡区的锥形段，以提供漏斗状主体‑分支界面部分。陶瓷壁主体的壁厚度T，它的最大直径D2，锥形部分的锥半角α，以及相对的锥形部分之间的长度L3，以及相对的弯曲主体‑分支过渡部分之间的长度L1被选择以满足以下要求，从而形成主体‑分支界面部分以便有利地控制沿放电室的内表面的温度分布，使得它单调递减，从而在主体‑分支界面产生稳定局部冷点位置0.5 < R3/D2 < 1.1并且T/2 < L3 < D2/2并且1.3 < L1/D2 < 2并且40° <α< 55°。在另一实施例中，弧管是二段构造，其具有轴向不对称外部几何结构和基本上轴向对称（即，仅略微不对称）内部表面几何结构，以便提供适度轴向不对称温度分布。

主权项

一种弧管，包括：陶瓷壁主体，所述陶瓷壁主体限定其中的放电室以用于包封具有壁厚度T的金属卤化物剂量，所述陶瓷壁主体包括：第一弯曲部分和相对的第二弯曲部分，其中尺寸R3表示所述第一弯曲部分和所述第二弯曲部分的曲率半径；所述第一弯曲部分之后的第一锥形部分和所述第二弯曲部分之后的第二锥形部分，其中尺寸L3表示所述第一和第二锥形部分的长度，并且其中尺寸α表示所述第一锥形部分和所述第二锥形部分的锥半角；以及具有所述第一锥形部分之后的第一主体‑分支界面的第一主体‑分支过渡部分以及具有所述第二锥形部分之后的第二主体‑分支界面的第二主体‑分支过渡部分，其中尺寸R4表示所述第一主体‑分支过渡部分和所述第二主体‑分支过渡部分的曲率半径，并且其中尺寸L1表示所述第一主体‑分支过渡部分与所述第二主体‑分支过渡部分之间的距离；以及其中所述陶瓷壁主体具有表示所述放电室的最大直径的尺寸D2，并且下列关系成立：0.5＜R3/D2＜1.1并且T/2＜L3＜D2/2并且1.3＜L1/D2＜2并且40°＜α＜55°。