[发明专利]超材料装置及其用途有效
| 申请号： | 201480033310.1 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN105493286B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 熊启华;曹强;张俊 | 申请（专利权）人： | 南洋理工大学 |
| 主分类号： | H01L27/28 | 分类号： | H01L27/28;H01L51/00;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 黎艳;刘培培 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明涉及包含超材料表面增强拉曼散射(MetaSERS)传感器的逻辑门，包括：(a)在560nm至2200nm之间的波长范围工作的开口环形谐振器形式的字母形超材料；和(b)富含鸟嘌呤(G)和胸腺嘧啶(T)的寡核苷酸，所述寡核苷酸能够在钾离子(K+)的存在下折叠为G‑四联体结构，并在Hg2+的存在下形成T‑Hg2+‑T发夹复合体，所述发夹复合体能够抑制或破坏在K+的存在下形成的所述G‑四联体结构。本发明还涉及操作和使用所述逻辑门的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 装置 及其 用途 | ||
【主权项】：
1.包含超材料表面增强拉曼散射(MetaSERS)传感器的逻辑门，包括：(a)在560nm至2200nm波长范围内工作的开口环形谐振器形式的字母形超材料；和(b)富含鸟嘌呤(G)和胸腺嘧啶(T)的寡核苷酸，所述寡核苷酸能够在钾离子(K+)的存在下折叠为G‑四联体结构，并在Hg2+的存在下形成T‑Hg2+‑T发夹复合体，所述发夹复合体能够抑制或破坏在K+的存在下形成的所述G‑四联体结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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