[发明专利]分离栅极有条件重置的图像传感器有效
| 申请号： | 201480033602.5 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN105308747B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | M·吉达什;T·沃吉尔桑 | 申请（专利权）人： | 拉姆伯斯公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在集成电路图像传感器内的像素阵列中，像素(870)包括形成在衬底内的光电探测器(260)和浮置扩散结构(262)。第一栅极元件(881)和第二栅极元件(883)彼此相邻地设置在衬底的在光电探测器与浮置扩散结构之间的区域(885)之上，并且分别耦合至在像素阵列内的行方向上延伸的行线(TGr)和在像素阵列中的列方向上延伸的列线(TGc)。 | ||
| 搜索关键词： | 像素阵列 光电探测器 图像传感器 浮置扩散 栅极元件 衬底 分离栅极 耦合 列方向 延伸 列线 像素 行线 重置 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路图像传感器，包括像素阵列，所述像素阵列具有：第一光电探测器，所述第一光电探测器形成在衬底内；浮置扩散结构，所述浮置扩散结构形成在所述衬底内；第一栅极元件和第二栅极元件，所述第一栅极元件和所述第二栅极元件彼此相邻地设置在所述衬底的在所述第一光电探测器与所述浮置扩散结构之间的第一电荷传输区域之上，所述第一栅极元件和所述第二栅极元件分别控制所述第一电荷传输区域的第一串联部分和第二串联部分；第一行线，所述第一行线在所述像素阵列内的行方向上延伸并且耦合至所述第一栅极元件；以及第一列线，所述第一列线在所述像素阵列内的列方向上延伸并且耦合至所述第二栅极元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
