[发明专利]硅异质结太阳能电池有效
| 申请号： | 201480033930.5 | 申请日： | 2014-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105324855B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | J·夸尼斯 | 申请（专利权）人： | 原子能和能源替代品委员会 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L31/0745 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅异质结太阳能电池，其相继地包括掺杂的晶体硅衬底(1)；钝化层(2a)；与衬底(1)的掺杂类型相反的掺杂的非晶硅层(2b)；以及透明导电材料层(3)；所述电池的特征在于，在衬底(1)与钝化层(2a)之间，所述电池包括具有所谓“高少数载流子迁移率”的晶体材料的层(5)，在该层中，衬底(1)少数载流子的迁移率(μm)大于所述少数载流子在衬底(1)中的迁移率。本发明还涉及制造这种太阳能电池的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 硅异质结 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种硅异质结太阳能电池，其相继地包括：‑掺杂的晶体硅衬底(1)，‑钝化层(2a)，‑与衬底(1)的掺杂类型相反的掺杂的非晶硅层(2b)，‑透明导电材料层(3)，所述电池的特征在于，在衬底(1)与钝化层(2a)之间，所述电池包括具有所谓“高少数载流子迁移率”的晶体材料的层(5)，衬底(1)少数载流子在该具有高少数载流子迁移率的晶体材料的层(5)中的迁移率(μm)大于所述衬底(1)少数载流子在衬底(1)中的迁移率。
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