[发明专利]化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置和移载方法以及化合物半导体膜的成膜系统和成膜方法在审
| 申请号： | 201480034510.9 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN105308733A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 森崎英介;木元大寿 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;C23C16/458;H01L21/205;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 移载装置(170)包括：支承衬底保持件(40)的支承部(70)；在衬底保持件(40)的衬底保持部(80)能够使衬底升降的升降部件(91)；和遮蔽部件(82)，其随着升降部件(91)的升降而升降，在升降部件(91)接收衬底(W)时介于衬底(W)与升降部件(91)之间，在衬底(W)被衬底保持部(80)保持时，在衬底(W)的背面侧遮蔽衬底保持件(40)的用于插通升降部件(91)的孔(81)。而且，在升降部件(91)上升了的状态下，利用输送装置(201)将衬底(W)载置在遮蔽部件(82)上，或者对遮蔽部件(82)上的衬底(W)进行输送。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 膜成膜用 衬底 装置 方法 以及 系统 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置，其相对于衬底保持件移载化合物半导体膜成膜用的衬底，所述化合物半导体膜成膜用衬底的移载装置的特征在于，包括：支承所述衬底保持件的支承部；在所述衬底保持件的衬底保持部能够使衬底升降的升降部件；和遮蔽部件，其随着所述升降部件的升降而升降，在所述升降部件接收衬底时介于衬底与所述升降部件之间，在衬底被所述衬底保持部保持时，在衬底的背面侧遮蔽所述衬底保持件的用于插通所述升降部件的孔，在所述升降部件上升了的状态下，将衬底载置在所述遮蔽部件上，或者对所述遮蔽部件上的衬底进行输送。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
