[发明专利]用于固定电极隧穿识别的可制造亚3纳米钯间隙器件

摘要

提供一种在纳米器件中制造纳米间隙的技术。在晶片上设置氧化物。在氧化物上设置纳米线。施加氦离子束以将纳米线切割成第一纳米线部分和第二纳米线部分，从而在纳米器件中形成纳米间隙。施加氦离子束切割纳米间隙在纳米间隙的至少一个开口附近形成纳米线材料的标志。

主权项

一种制造纳米间隙的方法，所述方法包括：在晶片上设置氧化物；在所述氧化物上设置纳米线；以及施加氦离子束将纳米线切割成第一纳米线部分和第二纳米线部分，以在纳米器件中形成所述纳米间隙；其中，施加所述氦离子束切割所述纳米间隙在所述纳米间隙的至少一个开口附近形成了纳米线材料的标志，其中，施加氦离子束将纳米线切割成第一纳米线部分和第二纳米线部分，以在纳米器件中形成所述纳米间隙包括：施加氦离子束以将所述纳米线侧向窄化为第一纳米线部分和第二纳米线部分，所述第一纳米线部分和所述第二纳米线部分在纳米器件中形成第一纳米间隙，其中，施加氦离子束将所述纳米线侧向窄化形成连接所述第一纳米线部分和所述第二纳米线部分的桥；并且在所述桥中切割第二纳米间隙，以从所述第一纳米线部分形成第一延伸并且从所述第二纳米线部分形成第二延伸。