[发明专利]硅晶圆的热处理方法

摘要

本发明是一种硅晶圆的热处理方法，具有将硅晶圆载置于SiC夹具上，放入热处理炉内的工序；在热处理炉内，在第一非氧化性气氛下，对硅晶圆进行热处理的工序；降温到能将硅晶圆从热处理炉内搬出的温度的工序；以及，将硅晶圆从热处理炉内搬出的工序；在降温工序中，在降温到能搬出的温度后，将第一非氧化性气氛切换成含氧气氛，在含氧气氛下，在SiC夹具的表面上形成厚度1～10nm的氧化膜，之后再将含氧气氛切换成第二非氧化性气氛。由此，能提供一种硅晶圆的热处理方法，该热处理方法能防止在热处理工序中来自于夹具和环境的碳污染。

主权项

一种硅晶圆的热处理方法，其具有以下工序：将硅晶圆载置于SiC夹具上，放入热处理炉内的工序；在所述热处理炉内，在第一非氧化性气氛下，对所述硅晶圆进行热处理的工序；降温到能将所述硅晶圆从所述热处理炉内搬出的温度的工序；以及，将所述硅晶圆从所述热处理炉内搬出的工序；其特征在于，在降温到能将所述硅晶圆从所述热处理炉内搬出的温度的工序中，在降温到能将所述硅晶圆从所述热处理炉内搬出的温度后，将所述第一非氧化性气氛切换成含氧气氛，在所述含氧气氛下，在所述SiC夹具的表面上形成厚度1～10nm的氧化膜，之后再将所述含氧气氛切换成第二非氧化性气氛。