[发明专利]用于制造太阳能电池光吸收层的聚集前驱体及其制造方法有效
申请号: | 201480034909.7 | 申请日: | 2014-08-01 |
公开(公告)号: | CN105324851B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 尹锡喜;尹锡炫;尹泰勋 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0392 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡胜有,冷永华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于制造光吸收层的聚集前驱体及其制造方法,用于制造太阳能电池光吸收层的所述聚集前驱体包括含有含铜(Cu)硫属化物的第一相;以及含有含铟(In)和/或镓(Ga)硫属化物的第二相,其中在用于制造该光吸收层的墨溶剂中,所述聚集前驱体基于前驱体总重量计30%以上的聚集前驱体被分成含有第一相和/或第二相的颗粒聚集体,或分成具有第一相或第二相的独立颗粒。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 太阳能电池 光吸收 聚集 前驱 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制造太阳能电池的光吸收层的聚集前驱体,其包括含有含铜(Cu)硫属化物的第一相以及含有含铟(In)和/或镓(Ga)硫属化物的第二相,其中按前驱体的总重量计30%以上的聚集前驱体被分成包含第一相和/或第二相的颗粒聚集体,或具有第一相或第二相的独立颗粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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