[发明专利]一种垂直无旋处理腔室有效
申请号: | 201480035335.5 | 申请日: | 2014-06-26 |
公开(公告)号: | CN105408983B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 布鲁斯·马克丹;萨莉·安·亨利;唐·C·伯克曼;查理·A·皮特森;卡里·M·莱伊 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种包括一个基座、一个覆盖单元和多个夹持单元的处理腔室,该基座包括一个基座主体、一个配合面和延伸到所述基座主体内的内部区域,一个完全环绕所述内部区域的分隔单元,以及一个延伸到所述基座主体内且完全环绕所述分隔单元的外部区域。覆盖单元包括一个当处理腔室关闭时与所述基座主体配合面相接触的配合面。当所述处理腔室关闭时,所述多个夹持单元固持晶圆在所述内部区域中。 | ||
搜索关键词: | 处理腔室 基座主体 内部区域 分隔单元 覆盖单元 夹持单元 配合面 环绕 面相接触 外部区域 延伸 固持 晶圆 垂直 配合 | ||
【主权项】:
1.一种处理腔室,包括:一个基座,所述基座包括:基座主体;第一配合面,其位于所述基座主体的一个侧面;内部区域,用于容纳晶圆,所述内部区域从所述第一配合面侧延伸进入所述基座主体内;分隔单元,完全环绕所述内部区域;和外部区域,其从所述第一配合面侧延伸进入所述基座主体内,且完全环绕所述分隔单元;以及一个覆盖单元,其具有第二配合面,当所述处理腔室关闭时,所述覆盖单元的第二配合面用于与所述第一配合面相接触;以及多个夹持单元,用于当所述处理腔室关闭时,将晶圆固持在所述内部区域中;其中,所述基座还包括一个穿过所述基座主体连接到所述内部区域的端口;所述基座还包括一个穿过所述基座主体连接到所述外部区域的端口;所述基座还包括多个穿过所述分隔单元的喷嘴,所述多个喷嘴使所述内部区域和所述外部区域间流体地连接。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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