[发明专利]薄膜太阳能电池及薄膜太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 201480035392.3 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN105324863A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 堀木麻由美;早川明伸;小原峻士 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种光电转换效率高、尤其是开路电压高的薄膜太阳能电池。另外，本发明的目的在于，提供该薄膜太阳能电池的制造方法。本发明的薄膜太阳能电池具有阴极、阳极、配置于所述阴极与所述阳极之间的光电转换层、和配置于所述阴极与所述光电转换层之间的电子传输层，所述光电转换层具有含有有机半导体的部位、和含有硫化锑和/或硒化锑的部位，在所述光电转换层与所述电子传输层之间，配置有含有稀土类元素和/或元素周期表第2族元素的层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜太阳能电池，其特征在于，具有阴极、阳极、配置于所述阴极与所述阳极之间的光电转换层、和配置于所述阴极与所述光电转换层之间的电子传输层，所述光电转换层具有含有有机半导体的部位、以及含有硫化锑和/或硒化锑的部位，在所述光电转换层与所述电子传输层之间，配置有含有稀土类元素和/或元素周期表第2族元素的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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