[发明专利]包含被置换的交联性化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物有效
| 申请号： | 201480035763.8 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105324720B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 桥本圭祐;高濑显司;新城彻也;坂本力丸;远藤贵文;西卷裕和 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08K5/13;C08L61/04;G03F7/26 |
| 代理公司： | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 黄媛;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种升华物的产生少，涂布于具有孔图案的基板时埋入性良好，具有高干蚀刻耐性、摆动耐性、耐热性等的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜，以及使用了该抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、以及下述式(1)或式(2)：(式中，Q | ||
| 搜索关键词： | 包含 置换 交联 化合物 抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、以及下述式(1)或式(2)所示的交联性化合物，/n
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