[发明专利]一种金属掺杂的Ge-Sb-Te基多值存储相变材料及相变存储器

摘要

本发明提供了一种金属掺杂的Ge‑Sb‑Te基多值存储相变材料，通式为：M_x(Ge_aSb_bTe_c)_1‑x,其中M为掺杂金属元素，所述M为Cu、Ag和Zn中的至少一种，x代表M的原子个数百分比，0aSb_bTe_c中。该相变材料在外加脉冲电压或脉冲电流下，可实现非晶高阻态，非晶低阻态，晶态低阻态的三态存储，各个状态之间区分明显且中间阻态可控性强，且获取中间阻态所需的电场较小，能耗较低，获得的中间阻态具有良好的稳定性，可重复性好。本发明实施例还提供了包含该金属掺杂的Ge‑Sb‑Te基多值存储相变材料的相变存储器。

主权项

1.一种金属掺杂的Ge‑Sb‑Te基多值存储相变材料，其特征在于，所述存储相变材料的通式为：Mx(GeaSbbTec)1‑x,所述Mx(GeaSbbTec)1‑x为Mx(Ge1Sb2Te4)1‑x、Mx(Ge2Sb2Te4)1‑x或Mx(Ge3Sb4Te8)1‑x，其中M为掺杂金属元素，所述M为Cu、Ag中的至少一种，x代表M的原子个数百分比，0

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