[发明专利]光子集成平台有效

专利信息
申请号: 201480037731.1 申请日: 2014-06-18
公开(公告)号: CN105359014B 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 马克·韦伯斯特;拉维·谢卡尔·图米甸 申请(专利权)人: 思科技术公司
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/30;G02B6/13;G02B6/10;G02B6/12
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 李晓冬
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: SOI设备可以包括波导适配器,该波导适配器在外部光源(例如,光纤光缆或激光器)和在SOI设备的硅表层上的硅波导之间耦合光。在一个实施例中,波导适配器被嵌入绝缘层中。这样做可以使波导适配器能够在表层组件被添加至SOI设备上之前被形成。因此,利用高温的制造技术可以被使用而不会损害SOI设备中的其它组件‑例如,波导适配器在热敏组件被加入硅表层之前被形成。通常,在绝缘层中形成第一波导和在被置于第一波导上的晶体半导体层中形成第二波导的方法被公开,其中,第二波导至少部分与第一波导交叠。光波导适配器被公开,其中,该适配器包括第一接头和多个第二接头,由此随着第二接头在远离波导适配器的耦合表面的方向上延伸,第二接头的尺寸减小,并且随着第一接头远离耦合表面延伸,第一接头的尺寸增大,并且在远离耦合表面而延伸的方向上,第一接头的长度大于各个第二接头的各自的长度。
搜索关键词: 光子 集成 平台
【主权项】:
1.一种用于形成光学设备的方法,包括:在光学设备的绝缘层中形成第一波导;在形成所述第一波导后,将晶体的半导体层置于所述绝缘层上;以及在所述半导体层中形成第二波导,其中,所述第二波导至少部分与在所述绝缘层中的所述第一波导交叠,其中,形成所述第一波导还包括在所述绝缘层中形成波导适配器,所述波导适配器包括暴露在所述光学设备的外部耦合表面处的多个接头,所述外部耦合表面被配置为耦合于外部光源,其中,所述波导适配器包括在所述绝缘层中相对于衬底被置于第二接头上方的第一接头,并且其中,随着所述第一接头远离所述外部耦合表面延伸,所述第一接头的尺寸增大。
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