[发明专利]横向功率半导体晶体管有效
| 申请号： | 201480037778.8 | 申请日： | 2014-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN105409004B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | V·帕蒂拉纳;N·尤德戈姆波拉;T·特拉伊科维奇 | 申请（专利权）人： | 剑桥微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/66;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 谢鑫;肖冰滨 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明一般涉及例如在集成电路中的横向功率半导体晶体管。特别地，本发明涉及横向绝缘栅双极晶体管或其他横向双极设备例如PIN二极管。本发明还一般涉及增加横向双极功率半导体晶体管的开关速度的方法。本发明提供了横向双极功率半导体晶体管，其包括与阳极/漏极区横向间隔的第一导电型的第一悬浮半导体区和横向邻近于第一悬浮半导体区的第二导电型的第二悬浮半导体区，以及设置在第一悬浮半导体区和第二悬浮半导体区上面且与第一悬浮半导体区和第二悬浮半导体区直接接触的悬浮电极。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 功率 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
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