[发明专利]用于制造光电子器件的方法有效
| 申请号： | 201480037849.4 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN105340087B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | M.布兰德尔;M.布格尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/50;H01L33/60;H01L33/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;杜荔南 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于制造光电子器件的方法包括步骤：提供具有布置在光电子半导体芯片的上侧上的掩模层（200）的光电子半导体芯片（100）；提供具有布置在载体的表面上的壁（320）的载体（300），所述壁（320）侧向地限制接纳区域；在接纳区域中布置光电子半导体芯片，其中光电子半导体芯片的下侧朝向载体的表面；利用光学反射材料（400）将接纳区域的包围光电子半导体芯片的区域填充直至以下高度，也即所述高度处于光电子半导体芯片的上侧和掩模层的上侧之间；去除掩模层，以便在光学反射材料中创建自由空间；以及将波长转换材料（500）引入到自由空间中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 光电子 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.用于制造光电子器件（10）的方法，具有以下步骤：‑提供具有布置在光电子半导体芯片（100）的上侧（101）上的掩模层（200）的光电子半导体芯片（100）；‑提供具有布置在载体（300）的表面（301）上的壁（320）的载体（300），所述壁（320）侧向地限制接纳区域（330）；‑在接纳区域（330）中布置光电子半导体芯片（100），其中光电子半导体芯片（100）的下侧（102）朝向载体（300）的表面（301）；‑利用光学反射材料（400）将接纳区域（330）的包围光电子半导体芯片（100）的区域（335）填充直至以下高度（410），所述高度（410）处于光电子半导体芯片（100）的上侧（101）和掩模层（200）的上侧（201）之间；‑去除掩模层（200），以便在光学反射材料（400）中创建自由空间（210）；‑将波长转换材料（500）引入到自由空间（210）中；其中光电子半导体芯片（100）的提供包括以下步骤：‑提供具有多个光电子半导体芯片（100）的晶片复合体（150）；‑在晶片复合体（150）的上侧上布置掩模层（200）；‑分离光电子半导体芯片（100）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，未经奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480037849.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
