[发明专利]电吸收调制器有效
| 申请号： | 201480038181.5 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN105474078B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李亚明;成步文 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;H01L27/15 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 提供一种电吸收调制器(100)，包括：衬底层(110)，包括硅衬底(112)及设置于所述硅衬底上的氧化层(114)；顶层硅(120)，形成于所述氧化层(114)上，且所述顶层硅(120)上形成一波导层(122)；掺杂层，包括第一掺杂平板(132)及第二掺杂平板(133)，所述第一掺杂平板(132)上形成一第一类型轻掺杂区(134)，所述第二掺杂平板(133)上形成一第二类型轻掺杂区(135)，且所述第一类型轻掺杂区(134)、波导层(122)及第二类型轻掺杂区(135)形成一PIN结；调制层(140)，设置于所述波导层(122)上并与所述PIN结并联；对于一特定波长的入射光束，当所述PIN结上加载反向的调制电信号时，所述调制层(140)对所述光束的光吸收系数随所述调制电信号的变化而变化，所述光束通过调制区域后的光功率也相应变化，从而实现了对光束的电光调制。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅电 吸收 调制器 | ||
【主权项】：
1.一种电吸收调制器，其特征在于，包括：衬底层，包括硅衬底及设置于所述硅衬底上的氧化层；顶层硅，所述顶层硅上形成一波导层；掺杂层，形成于所述顶层硅上，所述掺杂层包括第一掺杂平板及第二掺杂平板，所述第一掺杂平板上形成一第一类型轻掺杂区，所述第二掺杂平板上形成一第二类型轻掺杂区，且所述第一类型轻掺杂区及所述第二类型轻掺杂区位于所述波导层的两侧并紧贴所述波导层，所述第一类型轻掺杂区、波导层及第二类型轻掺杂区形成一PIN结；调制层，设置于所述波导层上并与所述PIN结并联；一特定波长的光束沿所述波导层传播，并进入所述调制层及所述波导层构成的调制区域后，在所述调制层及所述波导层之间震荡传播，当所述第一类型轻掺杂区及第二类型轻掺杂区上加载反向的调制电信号时，所述调制层对所述光束的光吸收系数随所述调制电信号的变化而变化，所述光束通过所述调制区域后的光功率也相应变化，从而实现了对光束的电光调制。
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