[发明专利]全N型晶体管反相器电路

摘要

本发明提供用于全n型晶体管反相器电路的系统、方法和设备。电路可包含输入薄膜晶体管TFT、下拉TFT、放电TFT、第一上拉TFT、第二上拉TFT及浮动电容器。所述电路还可包含第一和第二低电压电压源及第一和第二高电压电压源。所述TFT、所述电容器及所述电压源可耦合使得所述电路的输出与所述电路的输入逻辑相反。在一些实施方案中，所述电路可展现处于两个逻辑状态的零DC电流且可输出实质上等于由所述第一低电压电压源和所述第二高电压电压源输出的电压的电压。在一些实施方案中，所述电路可用于构建用于有源矩阵电子显示器的D触发器、缓冲器及控制器。

主权项

一种全n型薄膜晶体管TFT电路，其包括：第一反相器，其包含：输入电压互连件；输入TFT，其在其栅极处耦合到所述输入电压互连件且在其源极处耦合到第一低电压源；下拉TFT，其在其栅极处耦合到所述输入电压互连件且在其源极处耦合到第二低电压源；放电TFT，其在其栅极处耦合到所述输入电压互连件且在其源极处耦合到第三低电压源；第一上拉TFT，其从其源极耦合到所述下拉TFT的汲极和电容器的第一端子，从其栅极耦合到所述输入TFT的汲极和所述电容器的第二端子，且从其汲极耦合到第一高电压源；第二上拉TFT，其从其源极耦合到所述放电TFT的汲极，从其栅极耦合到所述第一上拉晶体管的所述源极且耦合到所述电容器的第一端子和所述下拉TFT的所述汲极，且从其汲极耦合到第二高电压源；及输出电压互连件，其耦合到所述第二上拉TFT与所述放电TFT之间的节点，其中所述下拉TFT的尺寸大于所述输入TFT的尺寸，从而响应于所述输入电压互连件上的输入电压从对应于逻辑1的电压转变为对应于逻辑0的电压，从所述输入TFT和所述下拉TFT馈通的输入电压的差足以使所述第一上拉TFT从闭合状态切换到打开状态。