[发明专利]半局部弹道迁移率模型有效
| 申请号： | 201480038479.6 | 申请日： | 2014-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105378734B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·康奈利 | 申请（专利权）人： | 新思科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨生平;钟锦舜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 晶体管模型将载流子迁移率限定为漂移扩散迁移率和弹道迁移率的组合。基于以下假设来计算弹道迁移率，即靠近注射点处的载流子的动能不大于靠近该注射点处的载流子的势能差异。取决于速率被弹道限制的程度来作出速度饱和的启始的突变以及与其相关联的渐进速率。模型进一步考虑对与载流子相关联的速率和/或电荷流量的惯性效应。所述模型根据沿电流流动的方向和垂直于电流流动的方向的、在沟道中的载流子的位置来计算载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 弹道 迁移率 模型 | ||
【主权项】：
1.一种对半导体装置进行仿真的计算机执行方法，所述方法包括：建立与进入所述半导体装置的区域的载流子相关联的最大能量；根据所述最大能量并且进一步根据在所述区域内的载流子的位置来限定与所述载流子相关联的最大动能；并且根据所述最大动能并且进一步根据一个或多个散射来计算所述载流子的速度，其中，所述最大动能建立所述载流子的速度的上限。
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