[发明专利]过渡金属卡宾络合物及其制造方法

摘要

本发明提供下述通式(1)所示的过渡金属卡宾络合物及其制造方法，通式(1)中，M表示钼原子等，R¹表示任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基等，L¹～L³表示选自卤素基团等的配体，R²及R³表示氢原子、任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基等，A表示氮原子等，R⁴～R⁷表示任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基等。

主权项

1.一种制造下述通式(1)所示的过渡金属卡宾络合物的方法，该方法包括：将下述通式(2)所示的过渡金属卡宾络合物和下述通式(3)所示的盐在溶剂中混合，通式(1)中，M表示钼原子或钨原子，R1表示任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基或任选具有取代基的碳原子数6～20的芳基，L1、L2及L3表示选自卤素基团、任选具有取代基的烷氧基及任选具有取代基的芳氧基中的配体，彼此相同或不同，或者至少2个相互键合并与M共同形成环结构，R2及R3表示氢原子、任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基或任选具有取代基的碳原子数6～20的芳基，彼此相同或不同，A表示氮原子或磷原子，R4、R5、R6及R7表示任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基或任选具有取代基的碳原子数6～20的芳基，彼此相同或不同，或者至少2个相互键合并与A共同形成环结构，通式(2)中，M表示钼原子或钨原子，R1表示任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基或任选具有取代基的碳原子数6～20的芳基，L1及L2表示选自卤素基团、任选具有取代基的烷氧基及任选具有取代基的芳氧基中的配体，彼此相同或不同，或者相互键合并与M共同形成环结构，R2及R3表示氢原子、任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基或任选具有取代基的碳原子数6～20的芳基，彼此相同或不同；通式(3)中，A表示氮原子或磷原子，R4、R5、R6及R7表示任选具有取代基的碳原子数1～20的烷基或任选具有取代基的碳原子数6～20的芳基，彼此相同或不同，或者至少2个相互键合并与A共同形成环结构，X‑表示选自卤化物离子、任选具有取代基的烷氧化物阴离子及任选具有取代基的芳氧化物阴离子中的阴离子。