[发明专利]将掺质植入工件中的方法

摘要

本发明提供一种将掺质植入工件中的方法。在一些离子植入系统中，来自离子源的污染物与期望的离子一同被提取，而引入污染物至工件。这些污染物可能是离子源腔室中的杂质。当不进行提取的离子束的质量分析时，这个问题会变严重，而当期望的馈入气体包括卤素时，这个问题会变得更严重。将稀释气体引入离子源腔室中可减少腔室内表面上的卤素的有害影响，以减少提取的离子束中的污染物。在一些实施例中，所述稀释气体可以是锗烷或硅烷。 1

主权项

1.一种将掺质植入工件中的方法，包括：

将馈入气体与稀释气体引入离子源的腔室中，所述馈入气体包括包含掺质与氟的分子，其中所述掺质包括第三族或第五族的元素，而所述稀释气体包括包含氢及第四族元素的分子或包括包含氢及具有与所述掺质相反的电性的种类的分子，其中引入的气体的总体积的3％与40％之间包括所述稀释气体；

在所述腔室中离子化所述馈入气体与所述稀释气体；以及

从所述腔室提取离子，且将所述离子加速朝向所述工件。

2.根据权利要求1所述的将掺质植入工件中的方法，其中所述稀释气体包括包含氢及第四族元素的分子。

3.根据权利要求2所述的将掺质植入工件中的方法，其中所述第四族元素包括硅或锗。

4.根据权利要求1所述的将掺质植入工件中的方法，其中所述掺质包括第三族元素，且所述稀释气体包括包含氢及第五族元素的分子。

5.根据权利要求4所述的将掺质植入工件中的方法，其中所述第三族元素包括硼。

6.根据权利要求5所述的将掺质植入工件中的方法，其中所述第五族元素包括磷或砷。

7.根据权利要求1所述的将掺质植入工件中的方法，其中所述掺质包括硼。

8.根据权利要求1所述的将掺质植入工件中的方法，其中经提取的所述离子在植入所述工件中之前并未经过质量分析。

9.根据权利要求1所述的将掺质植入工件中的方法，其中所述引入的气体的总体积的3％至20％包括所述稀释气体。

10.一种将硼植入工件中的方法，包括：

将馈入气体及稀释气体引入离子源的腔室中，所述馈入气体包括包含硼及氟的分子，所述稀释气体包括包含氢及第五族元素的分子，其中引入的气体的总体积的3％与20％之间包括所述稀释气体；

在所述腔室中离子化所述馈入气体与所述稀释气体；以及

从所述腔室提取离子，且将所述离子加速朝向所述工件，其中经提取的所述离子在植入所述工件中之前，并未经过质量分析。

11.根据权利要求10所述的将硼植入工件中的方法，其中所述馈入气体包括BF₃或B₂F₄。

12.根据权利要求10所述的将硼植入工件中的方法，其中所述稀释气体包括PH₃或AsH₃。

13.一种将硼植入工件中的方法，包括：

将馈入气体及稀释气体引入离子源的腔室中，所述馈入气体包括包含硼与氟的分子，所述稀释气体包括包含氢及锗的分子，其中引入的气体的总体积的10％与20％之间包括所述稀释气体；

在所述腔室中离子化所述馈入气体与所述稀释气体；以及

从所述腔室提取离子，且将所述离子加速朝向所述工件，其中经提取的所述离子在植入所述工件中之前，并未经过质量分析。

14.根据权利要求13所述的将硼植入工件中的方法，其中所述馈入气体包括BF₃。

15.根据权利要求13所述的将硼植入工件中的方法，其中所述馈入气体包括B₂F₄。