[发明专利]芯片电阻器的制造方法有效

专利信息
申请号: 201480040282.6 申请日: 2014-07-09
公开(公告)号: CN105393316B 公开(公告)日: 2018-04-10
发明(设计)人: 竹上裕也;上兼藤太郎;松本健太郎 申请(专利权)人: 兴亚株式会社
主分类号: H01C17/06 分类号: H01C17/06
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 曹振华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种能够抑制在一级分割槽与二级分割槽的交错部分产生的碎片的芯片电阻器的制造方法。当在大张基板(20)的一面形成了具有凹凸深度的一级分割槽(21),并形成了横跨在该一级分割槽(21)上的多对正面电极(3)以及横跨在成对的正面电极(3)上的电阻(5)等后,以使形成有所述正面电极(3)以及电阻(5)等的面侧开放的方式将大张基板(20)沿一级分割槽(21)一级分割,从而由大张基板(20)获得多个长条状基板(30)。在进行该一级分割时,一级分割槽(21)首先从槽深度小且具有强度的形成有电极的区域开始裂开,随后槽深度大且易坏的交错部分被分割,因此能不对强度低的交错部分施加大负荷地进行一级分割,能够防止在交错部分产生碎片(屑片)。
搜索关键词: 芯片 电阻器 制造 方法
【主权项】:
一种芯片电阻器的制造方法,其特征在于,包括:在片状的大张基板上形成横竖延伸的多个一级分割槽及二级分割槽的工序;在所述大张基板的一面以横跨所述一级分割槽的方式形成多对电极的工序;形成与所述多对电极连接的多个电阻的工序;以包覆所述多个电阻的方式形成保护层的工序;将所述大张基板沿所述一级分割槽分割而形成多个长条状基板的工序;在所述长条状基板的分割面上形成端面电极的工序;以及将所述长条状基板沿所述二级分割槽分割而形成各个元件的工序,将所述一级分割槽中的包含与所述二级分割槽的交叉部分在内未形成所述多对电极的区域的槽深度,设定为比形成有所述多对电极的区域的槽深度大,将所述大张基板沿所述一级分割槽分割而形成所述长条状基板。
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