[发明专利]光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 201480040795.7 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN105393369B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·恩格尔;格奥尔格·哈通;约翰·艾布尔;迈克尔·胡贝尔;马库斯·毛特 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00;H01L33/22;H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 丁永凡,张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出一种光电子半导体芯片，其中是ALD层的封装层(13)完全地遮盖第一镜层(21)的背离p型传导的区域(3)的侧并且所述封装层局部地与第一镜层(21)直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体芯片，具有：‑半导体本体(10)，所述半导体本体包括n型传导的区域(2)、设置用于产生电磁辐射的有源区域(4)和p型传导的区域(3)；‑第一镜层(21)，所述第一镜层设置用于反射电磁辐射；‑第一封装层(11)，所述第一封装层通过电绝缘的材料形成；‑第二封装层(12)，所述第二封装层通过电绝缘的材料形成；和‑第三封装层(13)，所述第三封装层通过电绝缘的材料形成，其中‑所述第一镜层(21)设置在所述p型传导的区域(3)的下侧上，‑所述有源区域(4)设置在所述p型传导的区域(3)的背离所述第一镜层(21)的侧上，‑所述n型传导的区域(2)设置在所述有源区域(4)的背离所述p型传导的区域(3)的侧上，‑所述第一封装层、第二封装层和第三封装层(11、12、13)局部地覆盖所述半导体本体(10)的外面，‑所述第三封装层(13)完全地遮盖所述第一镜层(21)的背离所述p型传导的区域(3)的侧并且局部地与所述第一镜层(21)直接接触，‑所述第二封装层(12)和所述第三封装层(13)在所述第一镜层(21)的侧向的区域中局部地彼此直接接触，‑所述第二封装层(12)和所述第三封装层(13)是ALD层,亦即：原子层沉积层，并且‑所述第一镜层(21)的侧面和所述n型传导的区域(2)的侧面之间的间距在横向方向上至多为2.5μm。
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