[发明专利]膜形成用组合物及其膜、以及使用其的有机半导体元件的制造方法有效
申请号: | 201480041085.6 | 申请日: | 2014-07-14 |
公开(公告)号: | CN105393341B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 照井贵阳;小森谷治彦;小林史人;原由香里;原育成 | 申请(专利权)人: | 中央硝子株式会社 |
主分类号: | H01L21/47 | 分类号: | H01L21/47;C08K5/02;C08K5/06;C08L27/12;H01L21/027;H01L21/308;H01L21/336;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40;H01L51/50;H01L21/312 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的膜形成用组合物包含含有通式(1)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂。(R1各自独立地为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基。R2各自独立地为碳数1~15的直链状、碳数3~15的支链状或碳数3~15的环状的含氟烃基,烃基中的氢原子可以被氟原子取代,重复单元中包含至少1个氟原子。)该组合物能够在有机半导体膜上形成膜,在光刻法等中得到有机半导体的精致的图案时,对蚀刻溶剂具有耐性,在有机半导体元件的制造方法中是有用的。 | ||
搜索关键词: | 形成 组合 及其 以及 使用 有机半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种膜形成用组合物,其为用于在有机半导体膜上形成氟树脂膜的膜形成用组合物,其包含:含有通式(1)表示的重复单元的氟树脂、以及氟系溶剂,作为氟树脂,含有含氟率为30质量%以上且65质量%以下的氟树脂,氟系溶剂含有含氟烃或含氟醚,含氟烃为碳数4~8的直链状、支链状或环状的烃,烃中的氢原子的至少1个被氟原子取代,含氟醚为通式(2)表示的含氟醚,式(1)中,R1各自独立地为氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基,R2各自独立地为碳数1~15的直链状、碳数3~15的支链状或碳数3~15的环状的含氟烃基,烃基中的氢原子可以被氟原子取代,重复单元中包含至少1个氟原子;R3‑O‑R4 (2)式(2)中,R3和R4各自独立地为碳数1~15的直链状、碳数3~15的支链状或碳数3~15的环状的烃基,化合物中的氢原子的至少1个被氟原子取代。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造