[发明专利]PNbZT薄膜的制造方法

摘要

本发明提供一种膜中的各组成大致均匀，且压电特性及介电特性较高的PNbZT薄膜的制造方法。本发明的PNbZT薄膜的制造方法，其包含如下工序：准备满足组成式PbzNbxZryTi1‑yO3且锆及钛的浓度比Zr/Ti不同的多种溶胶‑凝胶液，其中，0＜x≤0.05、0.40≤y≤0.60及1.05≤z≤1.25；以浓度比Zr/Ti阶段性变小的方式从多种溶胶‑凝胶液中选择规定的溶胶‑凝胶液，在基板上将溶胶‑凝胶液的涂布及临时烧结重复进行两次以上，由此在基板(12)上层叠浓度比Zr/Ti阶段性变小的两层以上的临时烧结膜(11a～11c)；及将多个临时烧结膜(11a～11c)一并烧成，由此得到单一的PNbZT薄膜(11)的工序。

主权项

1.一种PNbZT薄膜的制造方法，其包含如下工序：在基板中形成晶化促进层的工序，所述晶化促进层为由不含Nb的锆钛酸铅复合钙钛矿膜构成的PZT薄膜，准备满足组成式PbzNbxZryTi1‑yO3且锆及钛的浓度比Zr/Ti不同的多种溶胶‑凝胶液，其中，0＜x≤0.05、0.40≤y≤0.60及1.05≤z≤1.25；以所述浓度比Zr/Ti阶段性变小的方式从所述多种溶胶‑凝胶液中选择规定的溶胶‑凝胶液，在所述晶化促进层上将所述溶胶‑凝胶液的涂布及临时烧结重复进行两次以上，由此在所述晶化促进层上层叠所述浓度比Zr/Ti阶段性变小的两层以上的临时烧结膜；及将所述两层以上的临时烧结膜一并烧成，由此得到由锆钛酸铅铌酸系的复合钙钛矿构成的单一的PNbZT薄膜的工序，所述烧成后的单一的PNbZT薄膜中的在膜厚方向上的锆的组成不均匀度为5％以下，所述晶化促进层为(100)取向的PZT薄膜。