[发明专利]用于制造太阳能电池、特别是硅薄层太阳能电池的方法有效
| 申请号： | 201480041492.7 | 申请日： | 2014-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN105659392B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | V·利索特申克 | 申请（专利权）人： | 利拉茨有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/0236;H01L31/18;C03C23/00;C03C17/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 卫娟 |
| 地址： | 德国多*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制造太阳能电池、特别是硅薄层太阳能电池的方法，在其中将TCO层(3)施设到玻璃基底(1)上并且将至少一个硅层(4，5)施设到TCO层(3)上，其中，在施设TCO层(3)之前给玻璃基底(1)施加电子辐射，从而产生玻璃基底(1)的散射光的层(2)，将TCO层(3)施设到该层上。作为替换或补充可以规定将第一硅层(4)施设到TCO层(3)上，给第一硅层(4)施加激光辐射或电子辐射，并且将第二硅层(5)施设到经照射的第一硅层(4)上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 太阳能电池 特别是 薄层 方法 | ||
【主权项】：
用于制造太阳能电池的方法，其包括下列工艺步骤：‑将TCO层(3)施设到玻璃基底(1)上；‑将至少一个硅层(4，5)施设到TCO层(3)上；其特征在于：在施设TCO层(3)之前给玻璃基底(1)施加电子辐射，从而产生玻璃基底(1)的散射光的层(2)，将TCO层(3)施设到该散射光的层上，其中，在施加电子辐射之前和/或期间将玻璃基底(1)加热到200℃与700℃之间的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
