[发明专利]金属纳米网有效
| 申请号： | 201480041541.7 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN106062887B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 任志锋;孙田义;郭川飞 | 申请（专利权）人： | 休斯敦大学体系 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/02;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种透明柔性纳米网，其具有至少一种导电元素，并且当在至少一个方向上将其拉伸至200％的应变时薄层电阻小于300Ω/□。所述纳米网通过以下步骤形成：沉积牺牲膜；在所述膜上沉积、刻蚀并氧化第一金属层；刻蚀所述牺牲膜；沉积第二金属层；以及移除第一金属层以在基底上形成纳米网。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 纳米 | ||
【主权项】：
1.一种金属膜，其包括：纳米网，所述纳米网包括纳米线的片，其中所述纳米线的片包含至少一种导电元素，所述至少一种导电元素包括金(Au)；其中所述纳米线的片包含小于30Ω/□的第一薄层电阻并且能够在至少一个维度上拉伸至200％以形成经拉伸的纳米线的片，以及其中，在所述纳米线的片被拉伸到至少80％的应变之前，所述经拉伸的纳米线的片的第二电阻小于所述第一薄层电阻。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于休斯敦大学体系，未经休斯敦大学体系许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480041541.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
