[发明专利]用于填充通孔的方法及基板通孔填充真空处理系统

摘要

基板中的具有至少大约1:1的深宽比的通孔用呈现热驱动非晶\结晶相变的材料填充。这在真空制程室（50a）内执行。在第一时间跨度期间，通过DC溅射由材料靶材（60）溅射沉积材料。在后续的时间跨度中，在通过提出的溅射进行材料覆盖时可保持在通孔中的空洞借助于蚀刻以及将Rf偏压施加于具有所述通孔的基板（52）而打开，所述蚀刻在通过Rf驱动电线圈（40）产生的电感耦合电浆的帮助下执行。

主权项

一种材料填充基板内的具有至少大约1:1的深宽比的通孔并且由此制造包括用所述材料填充的通孔的基板的方法，所述材料为出自下列材料群组的呈现热驱动非晶/结晶相变的硫系玻璃材料，即：GeSbTe、AgInSbTe、InSe、SbSe、SbTe、InSbTe、GeSbSe、GeSbTeSe、AgInSbSeTe，从而特别是出自GeSbTe（GST），所述方法包括：步骤a）：通过DC溅射在所述基板中的至少一个的包括至少一个通孔的区域上由靶材布置溅射沉积所述材料，从而用所述材料的覆盖物覆盖通孔顶部、通孔侧壁及通孔底部，并且包括通孔顶部覆盖物，所述溅射沉积执行至一定程度以在所述覆盖的通孔中留下空洞，所述空洞朝向所述通孔顶部覆盖物的周围打开；继步骤a）之后为步骤b）：在电感耦合电浆及Rf偏压的基板的帮助下，通过蚀刻朝向所述周围扩大所述空洞；继步骤b）之后为步骤c）：通过DC溅射在所述区域上溅射沉积所述材料至一定程度，以便：i）通过所述材料至少从所述通孔底部至所述通孔顶部完成所述通孔的填充；或者ii）在所述覆盖的通孔中留下空洞，所述空洞朝向所述通孔顶部覆盖物的周围打开；在ii）的情况下，重复步骤b）和步骤c），从而在一个共用真空制程室中执行步骤a）至步骤c）。