[发明专利]半导体基板以及半导体基板的制造方法

摘要

一种半导体基板，第1超晶格层具有多个由第1层以及第2层构成的第1单位层，第2超晶格层具有多个由第3层以及第4层构成的第2单位层，第1层由Al_x1Ga_1-x1N(0＜x1≤1)构成，第2层由Al_y1Ga_1-y1N(0≤y1＜1、x1＞y1)构成，第3层由Al_x2Ga_1-x2N(0＜x2≤1)构成，第4层由Al_y2Ga_1-y2N(0≤y2＜1、x2＞y2)构成，第1超晶格层的平均晶格常数与第2超晶格层的平均晶格常数不同，在从第1超晶格层以及第2超晶格层选择出的1个以上的层中，以超过7×10¹⁸[atoms/cm³]的密度含有用于提高耐电压的杂质原子。

主权项

一种半导体基板，具有：基底基板、第1超晶格层、连接层、第2超晶格层和氮化物半导体结晶层，所述基底基板、所述第1超晶格层、所述连接层、所述第2超晶格层以及所述氮化物半导体结晶层的位置呈所述基底基板、所述第1超晶格层、所述连接层、所述第2超晶格层、所述氮化物半导体结晶层的顺序，所述第1超晶格层具有多个由第1层以及第2层构成的第1单位层，所述第2超晶格层具有多个由第3层以及第4层构成的第2单位层，所述第1层由Al_x1Ga_1‑x1N构成，其中0＜x1≤1，所述第2层由Al_y1Ga_1‑y1N构成，其中0≤y1＜1、x1＞y1，所述第3层由Al_x2Ga_1‑x2N构成，其中0＜x2≤1，所述第4层由Al_y2Ga_1‑y2N构成，其中0≤y2＜1、x2＞y2，所述第1超晶格层的平均晶格常数与所述第2超晶格层的平均晶格常数不同，在从所述第1超晶格层以及所述第2超晶格层选择出的1个上的层中，以超过7×10¹⁸[atoms/cm³]的密度含有用于提高耐电压的杂质原子。