[发明专利]硅中的高浓度掺杂

摘要

一种具有多个晶体硅区域的硅器件。一种晶体硅区域是掺杂的晶体硅区域。通过将氢原子引入至掺杂的5晶体硅区域内，由此所述氢以库仑力键合一些或所有的掺杂剂原子以钝化各自的掺杂剂原子从而实现钝化掺杂的晶体硅区域中的一些或所有的掺杂剂原子。钝化的掺杂剂原子可以通过加热和光照掺杂的晶体硅区域而断裂至少一些所述掺杂剂‑氢键，而且同时维持产生高浓度的中性氢原子的条件进行重新活化，由此10一些所述氢原子从所述掺杂的晶体硅区域扩散而不会重新结合至掺杂剂原子。

主权项

1.一种用于处理晶体硅器件的方法，所述晶体硅器件具有多个晶体硅区域，至少一个晶体硅区域具有多处晶体缺陷或污染，所述至少一个晶体硅区域是掺杂的晶体硅区域，其中，一些掺杂剂原子通过与氢原子结合进行钝化，所述方法包括：通过加热和光照所述掺杂的晶体硅区域以断裂至少一些掺杂剂原子和氢原子之间的键来重新活化一些钝化的掺杂剂原子，从而产生较高浓度的中性或阴性氢原子，由此一些所述氢原子从所述掺杂的晶体硅区域扩散而不会重新键合至所述掺杂剂原子；以及随后加热至少一部分所述掺杂的晶体硅区域以使一些或所有所述中性或阴性氢原子键合至所述至少一个晶体硅区域中的所述晶体缺陷或污染。