[发明专利]半导电石墨烯结构、形成此类结构的方法及包含此类结构的半导体装置在审
| 申请号： | 201480042945.8 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN105452162A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 罗伊·E·米迪;苏密特·C·潘迪 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导电石墨烯结构，其可包含石墨烯材料及所述石墨烯材料的至少一部分上方的石墨烯晶格匹配材料，其中所述石墨烯晶格匹配材料具有在所述石墨烯材料的晶格常数或键长的倍数的约5％内的晶格常数。所述半导电石墨烯结构可具有至少约0.5eV的能量带隙。本发明还揭示一种对石墨烯材料的能量带隙进行改质的方法，其可包含在石墨烯材料的至少一部分上方形成石墨烯晶格匹配材料，所述石墨烯晶格匹配材料具有在所述石墨烯材料的晶格常数或键长的倍数的约5％内的晶格常数。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 石墨 结构 形成 方法 包含 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包括：石墨烯材料；及石墨烯晶格匹配材料，其在所述石墨烯材料的至少一部分上方，所述石墨烯晶格匹配材料具有在所述石墨烯材料的晶格常数或键长的倍数的约±5％内的晶格常数。
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