[发明专利]R-T-B系烧结磁体及R-T-B系烧结磁体的制造方法有效
申请号: | 201480043014.X | 申请日: | 2014-08-11 |
公开(公告)号: | CN105453195B | 公开(公告)日: | 2018-11-16 |
发明(设计)人: | 石井伦太郎;国吉太;佐藤铁兵 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;B22F3/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/08;H01F41/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 提供抑制Dy的含量且具有高Br和高HcJ的R-T-B系烧结磁体及其制造方法。一种R-T-B系烧结磁体,其用式uRwBxGayCuzAlqMT表示,0.20≤x≤0.70、0.07≤y≤0.2、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1,在将氧量(质量%)设为α、将氮量(质量%)设为β、将碳量(质量%)设为γ时,v=u-(6α+10β+8γ),在0.40≤x≤0.70时,v、w满足:50w-18.5≤v≤50w-14、-12.5w+38.75≤v≤-62.5w+86.125,在0.20≤x<0.40时,v、w满足:50w-18.5≤v≤50w-15.5、-12.5w+39.125≤v≤-62.5w+86.125,x为-(62.5w+v-81.625)/15+0.5≤x≤-(62.5w+v-81.625)/15+0.8。 | ||
搜索关键词: | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种R-T-B系烧结磁体,其特征在于,用下述式(1)表示,uRwBxGayCuzAlqM(100-u-w-x-y-z-q)T (1)R包含轻稀土元素RL和重稀土元素RH,RL为Nd和/或Pr,RH为Dy、Tb、Gd及Ho中的至少一种,T为Fe,并能够用Co置换以质量比计为10%以下的Fe,M为Nb和/或Zr,u、w、x、y、z、q及100-u-w-x-y-z-q表示质量%,所述RH为R-T-B系烧结磁体的5质量%以下,满足下述式(2)~(5),0.20≤x≤0.70 (2)0.07≤y≤0.2 (3)0.05≤z≤0.5 (4)0≤q≤0.1 (5)在将R-T-B系烧结磁体的氧量以质量%计设为α、将氮量以质量%计设为β、将碳量以质量%计设为γ时,v=u-(6α+10β+8γ),在0.40≤x≤0.70时,v、w满足下述式(6)及(7),50w-18.5≤v≤50w-14 (6)-12.5w+38.75≤v≤-62.5w+86.125 (7)在0.20≤x<0.40时,v、w满足下述式(8)及(9),x满足下述式(10),50w-18.5≤v≤50w-15.5 (8)-12.5w+39.125≤v≤-62.5w+86.125 (9)-(62.5w+v-81.625)/15+0.5≤x≤-(62.5w+v-81.625)/15+0.8 (10),所述R-T-B系烧结磁体不包括以下3种R-T-B系烧结磁体:单位为质量%,余量为Fe1)Nd 29.50,B 0.91,Co 0.50,Ga 0.50,Cu 0.10,Al 0.28,O 0.10,N 0.05,C 0.102)Nd 31.00,B 0.90,Co 0.50,Ga 0.50,Cu 0.10,Al 0.28,O 0.10,N 0.05,C 0.103)Nd 32.40,B 0.89,Co 0.50,Ga 0.50,Cu 0.10,Al 0.28,O 0.10,N 0.05,C 0.10。
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