[发明专利]发光器件

摘要

公开了一种发光器件、制造该发光器件的方法、发光器件封装和照明系统。发光器件包括第一导电型半导体层、布置在第一导电型半导体层上的有源层(12)和布置在有源层(12)上的第二导电型半导体层(13)，有源层包括具有In_xGa_1-xN(0<x<1)的组成的量子阱(12w)和具有In_yGa_1-yN(0≤y<1)的组成的量子势垒(12b)，其中有源层(12)包括布置在第一导电型半导体层(11)上的第一量子阱(12w1)、布置在第一量子阱(12w1)上的第一量子势垒(12b1)、布置在第一量子势垒(12b1)上的第二量子阱(12w2)和布置在第二量子阱(12w2)上的第二量子势垒(12b2)。第一量子势垒(12b1)中的铟(In)的浓度向着第二量子阱(12w2)逐渐增加，并且第一量子势垒(12b1)中的铟(In)的最大浓度低于第二量子阱(12w2)中的铟(In)的浓度。

主权项

一种发光器件，所述发光器件包括：第一导电型半导体层；有源层，所述有源层布置在所述第一导电型半导体层上，并且包括具有In_xGa_1‑xN(0<x<1)的组成的量子阱和具有In_yGa_1‑yN(0≤y<1)的组成的量子势垒；和第二导电型半导体层，所述第二导电型半导体层布置在所述有源层上，其中所述有源层包括：第一量子阱，所述第一量子阱布置在所述第一导电型半导体层上；第一量子势垒，所述第一量子势垒布置在所述第一量子阱上；第二量子阱，所述第二量子阱布置在所述第一量子势垒上；和第二量子势垒，所述第二量子势垒布置在所述第二量子阱上，其中所述第一量子势垒中的铟(In)的浓度向着所述第二量子阱逐渐增加，并且所述第一量子势垒中的铟(In)的最大浓度低于所述第二量子阱中的铟(In)的浓度。