[发明专利]具有促进受控的调节的材料组成的CMP垫有效
申请号: | 201480043400.9 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN105453232B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | R·巴贾杰;C·E·伯恩;F·雷德克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开的实施例总体上提供了用于具有微结构的抛光制品或抛光垫的方法和设备,所述微结构在暴露于激光能时促进均匀的调节。在一个实施例中,提供包含第一材料与第二材料的组合的抛光垫,所述第一材料比所述第二材料对激光能更具反应性。在另一实施例中,提供使复合抛光垫织构化的方法。所述方法包括以下步骤:将激光能源引导到抛光垫的表面上,使具较高激光吸收率的第一材料内有较大剥蚀率,具较低激光吸收率的第二材料内有较小剥蚀率,从而提供与复合抛光垫的微结构一致的微织构化的表面。 | ||
搜索关键词: | 第二材料 第一材料 抛光垫 微结构 激光吸收率 复合抛光 激光能 剥蚀 方法和设备 激光能源 抛光制品 反应性 微织构 织构化 受控 暴露 | ||
【主权项】:
1.一种抛光垫,包含:主体,所述主体包含第一聚合物材料、第二聚合物材料和第三材料的组合,所述第二聚合物材料包含分散在所述第一聚合物材料中的多个纳米域,所述第三材料包含金属氧化物,其中,所述第三材料均匀地分散在所述第一聚合物材料或所述第二聚合物材料中,并且其中,所述第一聚合物材料比所述第三材料对激光能更具反应性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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