[发明专利]具有减小的感测延迟和改善的感测余量的SRAM读取缓冲器有效
| 申请号： | 201480043596.1 | 申请日： | 2014-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN105637589B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | S-O·郑;Y·杨;S·S·宋;Z·王;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司;延世大学校产学协力团 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李小芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种器件包括静态随机存取存储器(SRAM)单元和耦合至该SRAM单元的输出的读取缓冲器。该读取缓冲器包括反相器和开关。该反相器的输入响应于该SRAM单元的输出。该开关的控制端子响应于该反相器的输出。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 延迟 改善 余量 sram 读取 缓冲器 | ||
【主权项】：
1.一种操作静态随机存取存储器(SRAM)单元的方法，所述方法包括：将存储在所述SRAM单元处的值反相以生成反相值，其中所述值由所述SRAM单元的读取缓冲器的反相器来反相，所述读取缓冲器的所述反相器包括具有响应于所述SRAM单元的输出的栅极的至少第一晶体管和第二晶体管，其中读字线耦合至所述反相器的所述第一晶体管，所述读字线能操作用于激活所述反相器；以及基于所述反相值来控制所述读取缓冲器的开关的控制端子，所述开关耦合至位线并耦合至补读字线。
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