[发明专利]量测方法和设备、光刻系统和器件制造方法在审
| 申请号： | 201480044257.5 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN105452962A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | S·A·米德莱布鲁克斯;N·基鹏;H·J·H·斯米尔蒂;A·斯特拉艾杰;M·范德斯卡;M·G·M·M·范卡拉埃吉 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴敬莲 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种测量光刻过程的参数的方法及相关的检查设备被公开。所述方法包括：使用多个不同的照射条件来测量衬底上至少两个目标结构，所述目标结构具有有意的重叠偏置；对于每个目标结构获得表示总体不对称度的不对称度测量，所述总体不对称度包括由于(i)有意的重叠偏置、(ii)在形成目标结构期间的重叠误差和(iii)任何特征不对称度所造成的贡献。通过将线性回归模型拟合成用于一个目标结构的不对称度测量对用于另一目标结构的不对称度测量的平面表示来执行对于不对称度测量数据的回归分析，所述线性回归模型不一定被拟合成通过该平面表示的原点。然后可以根据由所述线性回归模型所描述的梯度来确定重叠误差。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 设备 光刻 系统 器件 制造 | ||
【主权项】：
一种测量光刻过程的参数的方法，所述方法包括步骤：(a)照射在衬底上的目标结构和检测由每个目标结构散射的辐射以针对于每个目标结构获得表示总体不对称度的不对称度测量，所述目标结构至少包括第一目标结构和第二目标结构，所述第一目标结构包括具有第一有意的重叠偏置的重叠的周期结构，所述第二目标结构包括具有第二有意的重叠偏置的重叠的周期结构，所述总体不对称度包括由于(i)在目标结构中有意的重叠偏置、(ii)在形成目标结构期间在光刻过程中的重叠误差和(iii)在一个或更多个所述周期结构中的特征不对称度所造成的贡献；(b)对于多种不同的照射条件重复步骤(a)以获得不对称度测量数据；(c)通过将线性回归模型拟合成用于第一目标结构的不对称度测量对用于第二目标结构的不对称度测量的平面表示来执行对于不对称度测量数据的回归分析，所述线性回归模型不一定被拟合成通过所述平面表示的原点；以及(d)根据由所述线性回归模型所描述的梯度来确定重叠误差。
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