[发明专利]剥离方法有效
申请号: | 201480044272.X | 申请日: | 2014-07-29 |
公开(公告)号: | CN105474355B | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 青山智哉;千田章裕;小松立 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 韩俊 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 为了提高剥离工序中的成品率,并且提高柔性发光装置等的制造工序中的成品率,一种剥离方法包括在第一基板上形成剥离层的第一步骤、在剥离层上形成包含与剥离层接触的第一层的待剥离层的第二步骤、使与剥离层及待剥离层重叠的状态下的粘合层固化的第三步骤、去除与剥离层及粘合层重叠的第一层的一部分来形成起剥点的第四步骤以及将剥离层和待剥离层分离的第五步骤。所述起剥点优选通过激光照射形成。 | ||
搜索关键词: | 剥离 方法 | ||
【主权项】:
1.一种剥离方法,包括如下步骤:在第一基板上形成剥离层;在所述剥离层上形成与该剥离层接触的第一层;在所述剥离层上形成功能元件;使用粘合层以及围绕该粘合层的框状分隔壁将所述第一基板与第二基板贴合在一起,其中所述第二基板面向所述功能元件且在所述第二基板与所述功能元件之间设置有所述粘合层;使所述粘合层固化,其中所述粘合层的端部位于所述剥离层的端部内侧;以及将所述剥离层与所述第一层分离,所述框状分隔壁在所述第二基板上形成为在角部包括狭缝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造