[发明专利]用于半导体制造过程和/或方法的化学组合物、使用其制得的装置有效
| 申请号： | 201480044412.3 | 申请日： | 2014-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN105453238B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 霍里亚·M·福尔;玛丽亚·福尔;米尔恰·福尔 | 申请（专利权）人： | 斯派克迈特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨生平 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明总体涉及半导体和/或半导体结构(例如，太阳能电池等)的领域、用于制造这样的半导体和/或半导体结构的化学组合物和/或用于制造这样的半导体和/或半导体结构的方法。在另一实施方案中，本发明涉及用于控制表面钝化、死层回蚀、抗反射、电位诱发衰减及用于各种半导体应用(包括但不限于太阳能电池)的半导体表面的其他性质的化学组合物及方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 过程 方法 化学 组合 使用 装置 | ||
【主权项】：
一种组合物，其包含：(A)含碘的化合物；(B)含氟的第一酸；(C)第二非氧化性酸；及(D)水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
