[发明专利]第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法

摘要

本发明提供抑制裂纹产生、EL光谱形状变为双峰的问题，并且表面平坦性更优异的第III族氮化物半导体外延基板和使用了它的第III族氮化物半导体以及它们的制造方法。按照本发明的第III族氮化物半导体外延基板(100)的特征在于，其具有至少表面部分由AlN构成的基板(112)、在基板(112)上形成的非掺杂AlN层(114)、在非掺杂AlN层(114)上形成的Si掺杂AlN缓冲层(116)、和在Si掺杂AlN缓冲层(116)上形成的超晶格层叠体(120)，Si掺杂AlN缓冲层(116)具有2.0×1019/cm3以上的Si浓度，且厚度为4～10nm。

主权项

一种第III族氮化物半导体外延基板，其特征在于，其具有：至少表面部分由AlN构成的基板、在该基板上形成的非掺杂AlN层、在该非掺杂AlN层上形成的Si掺杂AlN缓冲层、和在该Si掺杂AlN缓冲层上形成的超晶格层叠体，所述Si掺杂AlN缓冲层具有2.0×1019/cm3以上的Si浓度，且厚度为4～10nm；和所述超晶格层叠体是在所述Si掺杂AlN缓冲层上层叠结晶生长方向的平均组成x为0.9<x≤1的高含Al层即AlxGa1‑xN，进而交替层叠n组结晶生长方向的平均组成y为0<y<x的低含Al层即AlyGa1‑yN与所述高含Al层而成的，此处，n为满足4≤n≤10的整数，从所述Si掺杂AlN缓冲层侧数第1层至第n‑2层的所述低含Al层具有第1厚度，第n‑1层的所述低含Al层具有比所述第1厚度更厚的第2厚度，第n层的所述低含Al层具有所述第2厚度以上的第3厚度。