[发明专利]光电组件以及用于生产所述光电组件的方法有效
申请号: | 201480044613.3 | 申请日: | 2014-08-05 |
公开(公告)号: | CN105431952B | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | P.克罗莫蒂斯;E.霍夫曼;L.派克;T.巴德;S.基纳;K.格罗泽 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L23/31;H01L33/56;H01L23/24 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 胡莉莉;张涛 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明涉及一种光电组件,包括:壳体,具有导电的第一接触分段;以及光电半导体芯片,被布置在所述第一接触分段上。所述光电半导体芯片和所述第一接触分段至少部分地被具有硅酮的第一层覆盖。在所述第一层的表面上布置第二层,第二层具有SiO |
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搜索关键词: | 光电 组件 以及 用于 生产 方法 | ||
【主权项】:
1.一种光电组件(100),包括壳体(200),所述壳体(200)具有导电的第一接触区段(310),并且包括光电半导体芯片(500),所述光电半导体芯片(500)被布置在所述第一接触区段(310)上,其中,所述光电半导体芯片(500)和所述第一接触区段(310)至少部分地被包括硅酮的第一层(610)覆盖,其中,包括SiO2 的第二层(620)被布置在所述第一层(610)的表面(612)处,其中所述第二层是通过转换所述第一层的一部分来形成的,其中所述第二层(620)具有在10 nm和1 μm之间的厚度(621),其中,第三层(630)被布置在所述第二层(620)之上。
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