[发明专利]垂直功率晶体管器件在审
| 申请号： | 201480044619.0 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105431948A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | V.帕拉;A.K.阿加瓦尔;L.程;D.J.利奇滕瓦尔纳;J.W.帕尔摩尔 | 申请（专利权）人： | 科锐 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;陈岚 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括衬底、衬底之上的漂移层和漂移层之上的扩展层。扩展层包括通过结型栅极场效应（JFET）区分离的结型注入物对。栅极氧化物层在扩展层的顶上。栅极触点在栅极氧化物层的顶上。源极触点的每个源极触点在与栅极氧化物层和栅极触点分离的扩展层的部分上。漏极触点在与漂移层相对的衬底的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 功率 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
一种包括栅极、源极和漏极的晶体管器件，其中，栅极和源极通过至少JFET区、扩展层和漂移层与漏极分离。
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