[发明专利]基板上的集成无源器件(IPD)在审
| 申请号： | 201480045086.8 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105453258A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | D·D·金;Y·K·宋;C·H·尹;M·F·维纶茨;C·左;J·金;X·张;R·D·莱恩 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨丽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一些创新特征涉及一种半导体器件，该半导体器件包括基板、穿过该基板的第一腔。第一腔被配置成由互连材料(例如，焊球)占据。该基板还包括耦合至第一腔的第一侧壁的第一金属层。该基板进一步包括该基板的第一表面上的第一集成无源器件(IPD)，该第一IPD耦合至第一金属层。在一些实现中，该基板是玻璃基板。在一些实现中，第一IPD是至少电容器、电感器和/或电阻器之一。在一些实现中，该半导体器件进一步包括该基板的第二表面上的第二集成无源器件(IPD)。第二IPD耦合至第一金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 基板上 集成 无源 器件 ipd | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板；穿过所述基板的第一腔，所述第一腔被配置成由互连材料占据；耦合至所述第一腔的第一侧壁的第一金属层；以及所述基板的第一表面上的第一集成无源器件(IPD)，所述第一IPD耦合至所述第一金属层。
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