[发明专利]用于共栅放大器的谐波抑制器在审
| 申请号： | 201480045876.6 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105474536A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | R·兰加拉詹;C·D·帕特尔 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/60 | 分类号： | H03F3/60;H03F1/56;H03F1/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种电路、一种方法和一种设备。从传输线接收到的射频(RF)信号提供至共栅放大电路中晶体管的源极。连接至源极的串联谐振对于RF信号中干扰的RF分量提供了至接地的低阻抗路径。调谐串联谐振以提供高阻抗至居中在感兴趣频率上的频率频带，并且分流在居中于感兴趣频率上频率频带外的干扰的RF分量。干扰的RF分量可以包括感兴趣频率的谐波。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 放大器 谐波 抑制器 | ||
【主权项】：
一种低噪声放大器，包括：共栅放大电路，包括金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，所述金属氧化物半导体场效应晶体管具有被配置用于从传输线接收射频(RF)信号的源极；以及串联谐振，连接至所述MOSFET的源极，并且包括与电感串联连接的电容，其中所述串联谐振对于在所述RF信号中的干扰的RF分量提供至接地的低阻抗路径。
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