[发明专利]使用纵型晶体管的载荷传感器有效
申请号: | 201480045954.2 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN105473990B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 井上孝;畑谦佑;加藤哲弥;酒井贤一;宇野真由美;竹谷纯一 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18;H01L29/786;H01L29/84 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 通过使用了肋(2)及有机半导体薄膜(5)等的纵型晶体管来构成载荷传感器(100),基于纵型晶体管中的沟道长、即漏极-源极间的间隔的变化进行载荷测量。由此,能够使得电流Ids相对于被施加的载荷呈现线性的变化。 | ||
搜索关键词: | 使用 晶体管 载荷 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种使用纵型晶体管的载荷传感器,具有:基板(1),具有为绝缘体的表面;肋(2),设在上述基板上,由与上述基板不同的材料构成,具有侧面及上表面的表面由绝缘体构成;晶体管,具有形成在上述肋的一侧面的栅极电极(3)、栅极绝缘膜(4)及半导体薄膜(5);以及底部电极层(6)及顶部电极层(7),设上述基板中的形成有上述肋的部分为凸部,设没有形成上述肋的部分为凹部,所述底部电极层(6)以在上述凹部的底面上与上述半导体薄膜相接触的方式形成,所述顶部电极层(7)以在上述凸部的上表面上与上述半导体薄膜相接触的方式形成;通过对上述栅极电极施加栅极电压,在上述半导体薄膜上形成沟道区域,在上述底部电极层与上述顶部电极层之间流经电流;在对上述凸部施加载荷时,伴随上述肋的变形,在该肋的高度方向上上述半导体薄膜的长度发生变化,上述载荷传感器基于上述电流变化而进行载荷测量,上述肋由与上述基板相比具有小的杨氏模量的材料构成,上述肋为:该肋中的形成有上述栅极电极的上述一侧面相对于上述基板的表面为垂直,在与形成有上述栅极电极的上述一侧面不同的一面中为锥状,从该肋的上表面到上述锥状的部分及上述基板中的没有形成该肋的部分延伸设置有上述顶部电极层,上述肋的高度为1~50μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社电装,未经株式会社电装许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201480045954.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。