[发明专利]具有多字线设计的存储器有效
| 申请号： | 201480046220.6 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN105474321B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | C·古拉蒂;R·K·辛哈;R·查巴;S·S·尹 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412;G11C11/418 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于具有多读字线设计的存储器的各种装置和方法。存储器可包括被安排在行中的多个位单元、连接到该多个位单元的第一子集的第一读字线、以及连接到该多个位单元的第二子集的第二读字线，其中该第一和第二子集位于相同的位单元行中。该方法可包括在第一读操作期间断言连接到安排在位单元行中的多个位单元的第一子集的第一读字线，以及在第二读操作期间断言连接到该多个位单元的第二子集的第二读字线，其中该第一和第二子集位于相同的位单元行中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多字 设计 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储器，包括：被安排在行中的多个位单元；连接到所述多个位单元的第一子集的第一读字线；连接到所述多个位单元的第二子集的第二读字线，其中所述第一和第二子集位于相同的位单元行中；第一充电电路，其配置成在断言所述第一读字线之前预充电所述第一子集的读位线；以及第二充电电路，其配置成在断言所述第二读字线之前预充电所述第二子集的读位线。
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