[发明专利]光生伏打装置在审
| 申请号： | 201480046223.X | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN105556682A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | A.R.杜加尔;J.J.香;W.H.休伯;A.F.哈尔弗森 | 申请（专利权）人： | 第一阳光公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 罗文锋;赵苏林 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出一种光生伏打装置。所述光生伏打装置包括层堆叠；和在所述层堆叠上布置的吸收剂层。所述吸收剂层包括镉、碲和硒。在所述吸收剂层上进一步布置半导体层，其中所述半导体层和所述吸收剂层之间的价带偏移小于约1.3电子伏特，和所述半导体层的带隙在约1.2电子伏特-约3.5电子伏特的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 光生伏打 装置 | ||
【主权项】：
一种光生伏打装置，所述装置包含：层堆叠；在所述层堆叠上布置的包含镉、碲和硒的吸收剂层；和在所述吸收剂层上布置的半导体层，其中所述半导体层和所述吸收剂层之间的价带偏移小于约1.3电子伏特，和所述半导体层的带隙在约1.2电子伏特‑约3.5电子伏特的范围内。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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