[发明专利]用于生产烷基铟化合物的方法及其用途

摘要

本发明涉及一种用于以高产率并且以高选择性和纯度廉价并且对环境负责地制备二烷基铟氯化物的方法。根据本发明制备的二烷基铟氯化物也因为其高纯度和产率而特别适合于根据需要，以高产率和选择性并且以高纯度来制备含铟前体。可获得的这些含铟前体因为其高纯度而特别适合于金属‑有机化学气相沉积法(MOCVD)或金属‑有机气相外延法(MOVPE)。根据本发明的新颖方法由于改善的工艺方案，尤其是一种快速的工艺操作而引起关注。通过对环境引起较低水平损害的廉价起始物质的控制性并且相当多的使用，该方法也适合于工业规模。

主权项

1.用于制备具有化学式R3In的三烷基铟的方法，包括以下反应步骤：‑在不存在有机溶剂的情况下，通过包括反应步骤a1)和a2)的方法，制备出具有化学式R2InCl的二烷基铟氯化物，即化合物(A)a1)使一种铟供体与一种烷基供体反应以形成该化合物(A)，该烷基供体为烷基铝倍半氯化物R3Al2Cl3，并且该铟供体为三氯化铟InCl3，和在该烷基供体添加期间的温度低于100℃，a2)并且任选地从该反应混合物中分离出化合物(A)；其中R为一个具有1到4个碳原子的烷基，并且其中R为分支或未分支的；然后b1)使化合物(A)与一种烷基锂反应以形成四烷基铟酸锂LiInR4，并且从该反应混合物中分离出LiInR4，并且其中每当量R2InCl使用介于1.5与2.5当量之间的烷基锂，b2)使LiInR4与一种氯化铟组分反应以获得一种具有以下通式的化合物(B)：R3In，其中R为一个具有1到4个碳原子的烷基，并且其中R为分支或未分支的，其中该氯化铟组分选自R2InCl、R3In2Cl3和RInCl2，和其中在反应步骤b2)中不使用有机溶剂。