[发明专利]光伏器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201480046723.3 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN105474410A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 本亚明·布勒;马库斯·格勒克勒;阿克莱什·古普塔;里克·鲍威尔;邵锐;熊刚;余明伦;赵志波 | 申请（专利权）人： | 第一太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0264 | 分类号： | H01L31/0264 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;宫传芝 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了用于光伏器件的方法和器件。光伏器件包括玻璃基底，形成于玻璃基底之上的半导体吸收剂层，形成于半导体吸收剂层之上的金属背面接触层，和由MnTe、Cd1-xMnxTe、和SnTe之一形成的p-型背面接触缓冲层，缓冲层设置于半导体吸收剂层和金属背面接触层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种光伏器件，包括：玻璃基底；形成在所述玻璃基底之上的半导体吸收剂层；形成在所述半导体吸收剂层之上的金属背面接触层；以及设置在所述半导体吸收剂层和所述金属背面接触层之间的p‑型背面接触缓冲层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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