[发明专利]通过双图案化和填充技术来形成不同金属材料的平行导线的方法

摘要

一种集成电路和形成集成电路的方法，该集成电路包括包含表面的第一电介质层、在电介质层的表面中定义的多个第一沟槽、以及多条第一导线，其中，在第一沟槽中的每个沟槽中形成第一导线中的每条导线。该集成电路还包括在电介质层的表面中定义的多个第二沟槽、以及多条第二导线，其中，在第二沟槽中的每个沟槽中形成第二导线中的每条导线。此外，第一导线包括具有第一体电阻率的第一材料，并且第二导线包括具有第二体电阻率的第二材料，其中，第一体电阻率和第二体电阻率不同。

主权项

1.一种沉积导线的方法，包括：在电介质层的表面中形成多个第一沟槽；形成多条第一导线，其中，在所述第一沟槽中的每个沟槽中形成所述第一导线中的每条导线，并且所述第一导线由具有第一体电阻率的第一材料形成；在所述电介质层的所述表面中形成多个第二沟槽；形成多条第二导线，其中，在所述第二沟槽中的每个沟槽中形成所述第二导线中的每条导线，并且所述第二导线由具有第二体电阻率的第二材料形成，其中，所述第一体电阻率和所述第二体电阻率不同；其中，所述方法还包括：先于在所述电介质层中形成所述多个第一沟槽，在所述电介质层上涂覆第一硬掩模，并且在所述第一硬掩模和所述电介质层中形成所述多个第一沟槽；从所述第一导线中的每条导线中去除所述第一材料的部分，在所述多个第一沟槽中的每个沟槽中形成第一凹陷；以及先于在所述电介质层中形成所述多个第二沟槽，将第二硬掩模涂覆到所述第一凹陷中，其中，所述第二沟槽延伸穿过所述第一硬掩模。