[发明专利]用于具有钠铟硫化物缓冲层的薄层太阳能电池的层系统有效
| 申请号： | 201480047433.0 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN105474371B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | J.帕尔姆;S.波尔纳;T.哈普;R.迪伊特米勒;T.达里博;S.乔斯特;R.维马 | 申请（专利权）人： | 蚌埠玻璃工业设计研究院 |
| 主分类号： | H01L21/36 | 分类号： | H01L21/36;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 臧永杰,张涛 |
| 地址： | 233018 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于薄层太阳能电池的层系统，所述层系统包括用于吸收光的吸收层和布置在吸收层上的缓冲层，所述缓冲层包含NaxIny‑x/3S，其中0.063≤x≤0.625并且0.681≤y≤1.50。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 硫化物 缓冲 薄层 太阳能电池 系统 | ||
【主权项】：
用于薄层太阳能电池（100）的层系统（1），所述层系统（1）包括：‑用于吸收光的吸收层（4），所述吸收层包含黄铜矿化合物半导体，‑布置在吸收层（4）上的缓冲层（5），所述缓冲层（5）包含NaxIny‑x/3S，其中0.063≤x≤0.625，0.681≤y≤1.50，其中在缓冲层（5）中，钠和铟的物质量份额的比例大于0.2，和其中所述缓冲层（5）具有大于5原子%的钠的物质量份额。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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